A2G35S200-01SR3

功能描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

制造商:nxp usa inc.

系列:-

零件状态:在售

晶体管类型:LDMOS

频率:3.4GHz ~ 3.6GHz

增益:16.1dB

电压 - 测试:48V

额定电流:-

噪声系数:-

电流 - 测试:291mA

功率 - 输出:180W

电压 - 额定:125V

封装/外壳:NI-400S-2S

供应商器件封装:NI-400S-2S

标准包装:250

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